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汽车电子领域芯片失效分析检测的典型案例解析

三方检测机构-王工 2022-01-31

芯片失效分析检测相关服务热线: 微析检测业务区域覆盖全国,专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。 地图服务索引: 服务领域地图 检测项目地图 分析服务地图 体系认证地图 质检服务地图 服务案例地图 新闻资讯地图 地区服务地图 聚合服务地图

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汽车电子芯片是现代车辆智能化、电动化的核心支撑,其可靠性直接关系到行车安全与整车性能。然而,复杂的车载环境(如高温、振动、电磁干扰)及设计、制造环节的潜在缺陷,均可能导致芯片失效。失效分析检测作为定位问题根源的关键手段,通过结合电性测试、物理分析、仿真模拟等技术,能精准还原失效场景并提出改进方案。本文以汽车电子领域5类典型芯片失效案例为切入点,详细解析其失效现象、检测过程与根本原因定位逻辑。

电源管理芯片(PMIC)过压导致的输出异常失效案例

某新能源汽车DC/DC转换器中的PMIC在路试中频繁出现输出电压突升(从12V增至18V),导致下游MCU重启,影响车辆动力输出。失效分析第一步是电性测试:工程师用示波器抓取失效时的输入/输出波形,发现输入电压瞬间达到65V(远超 datasheet 规定的40V最大值);同时用电源供应器模拟过压场景,PMIC输出立即异常,复现失效现象。

接下来拆焊芯片做非破坏性检测:X射线成像显示,PMIC内部功率MOS管的源极与漏极之间金属化层有不规则烧蚀痕迹。为进一步观察微观结构,采用切片(Cross-section)技术制备样本,通过金相显微镜发现金属化层存在电迁移(Electromigration)导致的局部变薄——金属原子在大电流下发生迁移,形成“空洞”,当过压时电流激增,薄区电阻升高、温度骤升,最终烧蚀断裂。

根本原因追溯至前端电路:整流电路中的TVS二极管(瞬态抑制二极管)选型错误,其耐压值(50V)低于实际可能的浪涌电压(65V),无法有效吸收线束传导的浪涌能量,导致PMIC承受过压。此次检测用到的核心技术包括电性波形分析、X射线检测、切片微观观察及材料成分验证(SEM+EDS)。

MCU引脚静电放电(ESD)引发的功能锁死失效案例

某燃油车车身控制模块(BCM)中的MCU在装配线末检时频繁出现功能锁死:CANoe发送的车门控制指令无响应,断电重启后恢复,但再次上电又失效。首先做功能性测试:用万用表测量MCU的I/O引脚阻抗,发现负责CAN通信的引脚对地短路(正常应为10kΩ以上,实测0.5Ω)。

为验证ESD相关性,工程师用静电枪对该引脚注入±8kV人体放电模型(HBM),MCU立即进入锁死状态,与失效现象完全一致。拆焊芯片后,采用聚焦离子束(FIB)技术对短路引脚进行切片,观察到该引脚对应的ESD保护二极管pn结已完全击穿——原本的单向导电结构变成“导线”,导致引脚短路。

根源分析指向装配过程的静电防护:工人未佩戴防静电腕带,PCB板在转运时未贴装防静电保护膜,车间空气湿度(30%)低于ESD防护要求的40%

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