国标依据

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硅片翘曲度非接触式测试方法

Test method for measuring warp on silicon slices by noncontact scanning

国家标准 推荐性

基础信息

标准号:GB/T 6620-2009发布日期:2009-10-30实施日期:2010-06-01上次复审日期:2016-12-31上次复审结论:继续有效全部代替标准:GB/T 6620-1995标准类别:方法中国标准分类号:H82国际标准分类号:29.045 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门:国家标准委

采标情况

本标准修改采用其他国际标准:SEMI MF657-0705。采标中文名称:硅片翘曲度和总厚度变化非接触式测试方法。

起草单位

洛阳单晶硅有限责任公司万向硅峰电子股份有限公司

起草人

张静雯蒋建国楼春兰田素霞刘玉芹

相近标准(计划)

GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法GB/T 30859-2014 太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法GB/T 32280-2022 硅片翘曲度和弯曲度的测试自动非接触扫描法GB/T 19922-2005 硅片局部平整度非接触式标准测试方法GB/T 31352-2014 蓝宝石衬底片翘曲度测试方法GB/T 31353-2014 蓝宝石衬底片弯曲度测试方法SJ/T 11631-2016 太阳能电池用硅片外观缺陷测试方法SJ/T 11630-2016 太阳能电池用硅片几何尺寸测试方法SJ/T 11632-2016 太阳能电池用硅片微裂纹缺陷的测试方法SJ/T 11627-2016 太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法

相关服务热线: 如需《GB/T 6620-2009》相关的服务,可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国,专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。

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服务众多客户解决技术难题

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