国标依据

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硅锭、硅块和硅片中非平衡载流子复合寿命的测试 非接触涡流感应法

Test method for excess-charge-carrier recombination lifetime in silicon ingots, silicon bricks and silicon wafers—Noncontact eddy-current sensor

国家标准 推荐性

基础信息

标准号:GB/T 42907-2023发布日期:2023-08-06实施日期:2024-03-01标准类别:方法中国标准分类号:H21国际标准分类号:77.040 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门:国家标准委

起草单位

TCL中环新能源科技股份有限公司隆基绿能科技股份有限公司浙江海纳半导体股份有限公司四川永祥光伏科技有限公司弘元新材料(包头)有限公司宜昌南玻硅材料有限公司内蒙古中环晶体材料有限公司

起草人

张雪囡王林杨阳邓浩郭红强张石晶赵军王建平李向宇刘文明赵子龙潘金平李寿琴

相近标准(计划)

GB/T 26068-2018 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法20250731-T-469 碳化硅外延层载流子寿命的测试 瞬态吸收法GB/T 1553-2023 硅和锗体内少数载流子寿命的测定光电导衰减法DB65/T 3485-2013 太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法GB/T 32280-2022 硅片翘曲度和弯曲度的测试自动非接触扫描法GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试非接触涡流法

相关服务热线: 如需《GB/T 42907-2023》相关的服务,可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国,专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。

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十多年的专业技术积累

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服务众多客户解决技术难题

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每年出具十余万+份技术报告

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2500+名专业技术人员

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