国标依据

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碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法

Test method for thickness of silicon carbide epitaxial layer—Infrared reflectance method

国家标准 推荐性

基础信息

标准号:GB/T 42905-2023发布日期:2023-08-06实施日期:2024-03-01标准类别:方法中国标准分类号:H21国际标准分类号:77.040 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门:国家标准委

起草单位

安徽长飞先进半导体有限公司河北普兴电子科技股份有限公司南京国盛电子有限公司布鲁克(北京)科技有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司安徽芯乐半导体有限公司广东天域半导体股份有限公司浙江芯科半导体有限公司中国科学院半导体研究所

起草人

钮应喜刘敏丁雄杰吴会旺李京波张会娟雷浩东闫果果袁松赵丽霞仇光寅李素青赵跃彭铁坤

相近标准(计划)

20240143-T-469 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法20250731-T-469 碳化硅外延层载流子寿命的测试 瞬态吸收法YS/T 14-2015 异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试激光散射法GB/T 8758-2006 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法YS/T 23-1992 硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法YS/T 23-2016 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法YS/T 15-1991 硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法YS/T 15-2015 硅外延层和扩散层厚度测定 磨角染色法YS/T 14-1991 导质外延层和硅夕晶层厚度测量方法

相关服务热线: 如需《GB/T 42905-2023》相关的服务,可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国,专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。

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十多年的专业技术积累

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服务众多客户解决技术难题

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每年出具十余万+份技术报告

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2500+名专业技术人员

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