国标依据

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硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe

国家标准 推荐性

基础信息

标准号:GB/T 6617-2009发布日期:2009-10-30实施日期:2010-06-01上次复审日期:2016-12-31上次复审结论:修订全部代替标准:GB/T 6617-1995标准类别:方法中国标准分类号:H80国际标准分类号:29.045 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门:国家标准委

起草单位

南京国盛电子有限公司宁波立立电子股份有限公司

起草人

马林宝骆红吕立平刘培东谭卫东

相近标准(计划)

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十多年的专业技术积累

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服务众多客户解决技术难题

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每年出具十余万+份技术报告

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