国标依据

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硅片局部平整度非接触式标准测试方法

Standard test methods for measuring site flatness on silicon wafers by noncontact scanning

国家标准 推荐性

基础信息

标准号:GB/T 19922-2005发布日期:2005-09-19实施日期:2006-04-01上次复审日期:2023-12-28上次复审结论:继续有效标准类别:方法中国标准分类号:H17国际标准分类号:77.040.01 归口单位:工业和信息化部(电子)执行单位:工业和信息化部(电子)主管部门:工业和信息化部(电子)

起草单位

洛阳单晶硅有限责任公司

相近标准(计划)

GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T 29507-2013 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法SJ/T 11630-2016 太阳能电池用硅片几何尺寸测试方法SJ/T 11631-2016 太阳能电池用硅片外观缺陷测试方法GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法SJ/T 11632-2016 太阳能电池用硅片微裂纹缺陷的测试方法SJ/T 11627-2016 太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法SJ/T 11628-2016 太阳能电池用硅片尺寸及电学表征在线测试方法

相关服务热线: 如需《GB/T 19922-2005》相关的服务,可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国,专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。

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微析研究所是先进材料科学、环境环保、生物医药研发及CMC药学研究、一般消费品质量服务、化妆品研究服务、工业品服务和工程质量保证服务的全球检验检测认证 (TIC)服务提供者。微析研究所提供超过25万种分析方法的组合,为客户实现产品或组织的安全性、合规性、适用性以及持续性的综合检测评价服务。

十多年的专业技术积累

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服务众多客户解决技术难题

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每年出具十余万+份技术报告

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2500+名专业技术人员

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