国标依据

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锑化铟单晶电阻率及霍耳系数的测试方法

Test method for resistivity and hall coefficient indium antimonide single crystals

国家标准 推荐性

基础信息

标准号:GB/T 11297.7-1989发布日期:1989-03-31实施日期:1990-01-01上次复审日期:2016-12-31上次复审结论:继续有效标准类别:方法中国标准分类号:L32归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门:国家标准委

起草单位

航空航天部8358研究所

相近标准(计划)

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相关服务热线: 如需《GB/T 11297.7-1989》相关的服务,可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国,专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。

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十多年的专业技术积累

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服务众多客户解决技术难题

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每年出具十余万+份技术报告

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