半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验

基础信息

标准号：GB/T 45716-2025发布日期：2025-05-30实施日期：2025-09-01标准类别：方法中国标准分类号：L40国际标准分类号：31.080.01 归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会执行单位：全国半导体器件标准化技术委员会主管部门：工业和信息化部（电子）

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 62373:2006。采标中文名称:金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏置温度稳态试验。

起草单位

工业和信息化部电子第五研究所上海交通大学厦门芯阳科技股份有限公司浙江朗德电子科技有限公司河北北芯半导体科技有限公司中科院微电子所深圳市威兆半导体股份有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所

起草人

恩云飞高汭柴智林晓玲高金环任鹏鹏陈磊冉红雷章晓文来萍陈义强周圣泽都安彦李伟聪

相近标准(计划)

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