碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法
Test method for thickness and fltaness of monocrystalline silicon carbide wafers
基础信息
标准号:GB/T 32278-2025发布日期:2025-08-01实施日期:2026-02-01全部代替标准:GB/T 32278-2015,GB/T 30867-2014标准类别:方法中国标准分类号:H 21国际标准分类号:77.040 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门:国家标准委
起草单位
北京天科合达半导体股份有限公司山东天岳先进科技股份有限公司广东天域半导体股份有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司连科半导体有限公司派恩杰半导体(浙江)有限公司中国电子科技集团公司第四十六研究所安徽长飞先进半导体股份有限公司南京盛鑫半导体材料有限公司浙江晶瑞电子材料有限公司长飞光纤光缆股份有限公司
起草人
佘宗静彭同华王波杨建刘小平刘薇汪传勇赵文琪何烜坤王大军贺东江吴殿瑞黄宇程胡动力黄兴
相近标准(计划)
GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法GB/T 30868-2025 碳化硅单晶片微管密度测试方法20250813-T-469 半导体晶片近边缘几何形态评价第3部分:扇形区域平整度法(ESFQR、ESFQD、ESBIR)GB/T 29507-2013 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法20250729-T-469 碳化硅晶片表面杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法
相关服务热线: 如需《GB/T 32278-2025》相关的服务,可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国,专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。
热门服务