国标依据

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碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法

Test method for surface defects on silicon carbide epitaxial wafers—Laser scattering method

国家标准 推荐性

基础信息

标准号:GB/T 42902-2023发布日期:2023-08-06实施日期:2024-03-01标准类别:方法中国标准分类号:H21国际标准分类号:77.040 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门:国家标准委

起草单位

安徽长飞先进半导体有限公司安徽芯乐半导体有限公司浙江芯科半导体有限公司中国科学院半导体研究所广东天域半导体股份有限公司南京国盛电子有限公司河北普兴电子科技股份有限公司

起草人

钮应喜袁松仇光寅李京波杨龙闫果果张会娟刘敏彭铁坤袁肇耿

相近标准(计划)

GB/T 42905-2023 碳化硅外延层厚度的测试红外反射法20250731-T-469 碳化硅外延层载流子寿命的测试 瞬态吸收法GB/T 43885-2024碳化硅外延片20240143-T-469 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法20243061-T-469 300 mm硅外延片20250945-T-326 土壤颗粒组成的测定 激光衍射法SJ/T 11471-2014 发光二极管外延片测试方法20243065-T-469 激光器外延芯片用砷化镓衬底GB/T 43493.1-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类20251447-T-469 无损检测复合材料激光错位散斑检测方法

相关服务热线: 如需《GB/T 42902-2023》相关的服务,可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国,专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。

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十多年的专业技术积累

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服务众多客户解决技术难题

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每年出具十余万+份技术报告

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2500+名专业技术人员

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