国标依据

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碳化硅晶体材料缺陷图谱

Collection of metallographs on defects in silicon carbide crystal materials

国家标准 推荐性

基础信息

标准号:GB/T 43612-2023发布日期:2023-12-28实施日期:2024-07-01标准类别:基础中国标准分类号:H 80国际标准分类号:29.045 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门:国家标准委

起草单位

广东天域半导体股份有限公司北京第三代半导体产业技术创新战略联盟河北同光半导体股份有限公司山西烁科晶体有限公司北京天科合达半导体股份有限公司中国科学院半导体研究所中国电子科技集团公司第四十六研究所南京国盛电子有限公司新美光(苏州)半导体科技有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司山东天岳先进科技股份有限公司北京大学东莞光电研究院河北普兴电子科技股份有限公司中国电子科技集团公司第十三研究所湖州东尼半导体科技有限公司中电化合物半导体有限公司哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司江苏卓远半导体有限公司

起草人

丁雄杰刘薇李素青丁晓民张红岩杨昆高伟路亚娟钮应喜晏阳吴殿瑞李国鹏张胜涛夏秋良韩景瑞贺东江张红李焕婷李斌尹浩田佘宗静王阳姚康金向军张新峰赵丽丽李国平

相近标准(计划)

GB/T 8756-2018 锗晶体缺陷图谱GB/T 35316-2017 蓝宝石晶体缺陷图谱20253309-T-432 木材缺陷图谱GB/T 30453-2013 硅材料原生缺陷图谱GB/T 18000-1999 木材缺陷图谱YS/T 1465-2021 钛及钛合金加工产品外观缺陷术语及图谱JB/T 8753-1998 电触头材料金相图谱CB/T 3409-1991 舰船材料金相图谱GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试激光散射法GB/T 43493.1-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类

相关服务热线: 如需《GB/T 43612-2023》相关的服务,可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国,专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。

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十多年的专业技术积累

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服务众多客户解决技术难题

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每年出具十余万+份技术报告

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2500+名专业技术人员

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