半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法

基础信息

标准号：GB/T 43493.3-2023发布日期：2023-12-28实施日期：2024-07-01标准类别：方法中国标准分类号：L90国际标准分类号：31.080.99 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门：国家标准委

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 63068-3:2020。采标中文名称:半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法。

起草单位

河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）广东天域半导体股份有限公司浙江大学山西烁科晶体有限公司中电化合物半导体有限公司常州臻晶半导体有限公司厦门特仪科技有限公司之江实验室中国电子科技集团公司第四十六研究所山东天岳先进科技股份有限公司中国科学院半导体研究所河北普兴电子科技股份有限公司深圳市星汉激光科技股份有限公司

起草人

芦伟立房玉龙丁雄杰张冉冉张建锋李振廷刘立娜杨世兴金向军尹志鹏周少丰林志阳李佳殷源王健李丽霞徐晨杨青马康夫钮应喜刘薇陆敏

相近标准(计划)

GB/T 43493.1-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类GB/T 43493.2-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试激光散射法20204111-T-339 半导体器件 微电子机械器件 第3部分：拉伸试验用薄膜标准试验片20201543-T-339 半导体器件分立器件第15部分：绝缘功率半导体器件YS/T 24-1992 外延钉缺陷的检验方法YS/T 24-2016 外延钉缺陷的检验方法20230657-T-339 半导体器件 能量收集和产生半导体器件 第2部分：基于热功率的热电能量收集器20230652-T-339 半导体器件 能量收集和产生半导体器件 第5部分：测量柔性热电器件发电功率的测试方法20240091-T-604 铜钨电触头缺陷检测方法

相关服务热线： 如需《GB/T 43493.3-2023》相关的服务，可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国，专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。