III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法
Test method for dislocation imaging in III-nitride semiconductor materials—Transmission electron microscopy
基础信息
标准号:GB/T 44558-2024发布日期:2024-09-29实施日期:2025-04-01标准类别:方法中国标准分类号:H21国际标准分类号:77.040 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门:国家标准委
起草单位
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏第三代半导体研究院有限公司北京大学北京大学东莞光电研究院TCL环鑫半导体(天津)有限公司山东浪潮华光光电子股份有限公司苏州纳维科技有限公司苏州科技大学国家纳米科学中心东莞市中镓半导体科技有限公司苏州大学北京国基科航第三代半导体检测技术有限公司
起草人
曾雄辉董晓鸣王建峰徐科郭延军陈家凡敖松泉唐明华苏旭军牛牧童王晓丹徐军王新强颜建锋闫宝华李艳明
相近标准(计划)
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