国标依据

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碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法

Determination of boron, aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry

国家标准 推荐性

基础信息

标准号:GB/T 41153-2021发布日期:2021-12-31实施日期:2022-07-01标准类别:方法中国标准分类号:H17国际标准分类号:77.040 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门:国家标准委

起草单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所山东天岳先进科技股份有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司

起草人

马农农何友琴何烜坤李素青陈潇刘立娜张红岩

相近标准(计划)

GB/T 42263-2022 硅单晶中氮含量的测定二次离子质谱法YS/T 1600-2023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法20250729-T-469 碳化硅晶片表面杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法YS/T 1601-2023 六氯乙硅烷中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法20240139-T-469 硅外延用三氯氢硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法YS/T 870-2020 纯铝化学分析方法痕量杂质元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法YS/T 1539-2022 铝基氮化硼粉末中氮化硼含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法YS/T 1075.14-2023 钒铝、钼铝中间合金化学分析方法 第14部分:痕量杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法YS/T 1738-2025 铸造碳化钨粉 杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法

相关服务热线: 如需《GB/T 41153-2021》相关的服务,可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国,专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。

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十多年的专业技术积累

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服务众多客户解决技术难题

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每年出具十余万+份技术报告

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