国标依据

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表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法

Surface chemical analysis—Depth profiling—Method for sputter rate determination in X-ray photoelectron spectroscopy, Auger electron spectroscopy and secondary-ion mass spectrometry sputter depth profiling using single and multi-layer thin films

国家标准 推荐性

基础信息

标准号:GB/T 41064-2021发布日期:2021-12-31实施日期:2022-07-01标准类别:方法中国标准分类号:G04国际标准分类号:71.040.40 归口单位:全国表面化学分析标准化技术委员会执行单位:全国表面化学分析标准化技术委员会主管部门:中国科学院

采标情况

本标准等同采用ISO国际标准:ISO 17109:2015。采标中文名称:表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法。

起草单位

清华大学中国石油大学(北京)

起草人

姚文清段建霞李展平徐同广杨立平王雅君王岩华

相近标准(计划)

SJ/T 10457-1993 俄歇电子能谱术语深度剖析标准导则20253642-T-491 表面化学分析 深度剖析 溅射深度测量20240152-T-469 表面化学分析深度剖析AES和XPS深度剖析时离子束对准方法及其束流或束流密度的测量方法20240005-T-469 表面化学分析深度剖析中能离子散射术对硅基底上纳米尺度重金属氧化物薄膜的无损深度剖析GB/T 40109-2021 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法GB/T 32495-2016 表面化学分析二次离子质谱硅中砷的深度剖析方法GB/T 29557-2013 表面化学分析深度剖析溅射深度测量GB/T 34326-2017 表面化学分析 深度剖析 AES和XPS深度剖析时离子束对准方法及其束流或束流密度测量方法20253762-T-491 表面化学分析 俄歇电子能谱和X射线光电子能谱 横向分辨率、分析面积和分析器所能检测到的样品面积的测定GB/T 28632-2012 表面化学分析俄歇电子能谱和X射线光电子能谱横向分辨率测定

相关服务热线: 如需《GB/T 41064-2021》相关的服务,可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国,专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。

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