半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 6:Thyristors--Section One:Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors，ambient or case-rated，up to 100A
基础信息
标准号：GB/T 6352-1998发布日期：1998-11-17实施日期：1999-06-01上次复审日期：2023-12-28上次复审结论：继续有效全部代替标准：GB 6352-1986标准类别：产品中国标准分类号：L43国际标准分类号：31.080.20 归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会执行单位：全国半导体器件标准化技术委员会主管部门：工业和信息化部（电子）
采标情况
本标准等同采用IEC国际标准：IEC 747-6-1:1989 QC 750110。采标中文名称:。
起草单位
电子工业部标准化研究所
相近标准(计划)
GB/T 6590-1998 半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第二篇100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范GB/T 13151-2005 半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第3篇电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范GB/T 13150-2005 半导体器件分立器件电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范GB/T 6351-1998 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一篇100A以下环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范GB/T 6217-1998 半导体器件分立器件第7部分:双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范
相关服务热线： 如需《GB/T 6352-1998》相关的服务，可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国，专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。
热门服务
