国标依据

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硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法

Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon—In-line four-point probe and direct current two-point probe method

国家标准 推荐性

基础信息

标准号:GB/T 1551-2021发布日期:2021-05-21实施日期:2021-12-01全部代替标准:GB/T 1551-2009标准类别:方法中国标准分类号:H21国际标准分类号:77.040 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门:国家标准委

起草单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所有研半导体材料有限公司青海芯测科技有限公司乐山市产品质量监督检验所亚洲硅业(青海)股份有限公司开化县检验检测研究院青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司有色金属技术经济研究院有限责任公司广州市昆德科技有限公司浙江海纳半导体有限公司中国计量科学研究院浙江金瑞泓科技股份有限公司南京国盛电子有限公司义乌力迈新材料有限公司

起草人

刘立娜刘兆枫杨素心孙燕梁洪潘金平李慎重潘文宾皮坤林何烜坤刘刚高英王昕楼春兰宗冰蔡丽艳王志强

相近标准(计划)

YS/T 602-2017 区熔锗锭电阻率测试方法 两探针法YS/T 602-2007 区熔锗锭电阻率测试方法 两探针法GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法YB/T 6166-2024 石墨烯薄膜 方块电阻的测定 四探针法DB13/T 5026.3-2019 石墨烯导电浆料物理性质的测定方法第3部分:浆料极片电阻率的测定四探针法GB/T 39978-2021 纳米技术 碳纳米管粉体电阻率 四探针法DB13/T 5255-2020 石墨烯导电油墨方阻的测定四探针法GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定扩展电阻探针法DB32/T 4027-2021 石墨烯粉体电导率测定 动态四探针法DB22/T 465-2009 火探管式自动探火灭火装置设计、安装及验收规程

相关服务热线: 如需《GB/T 1551-2021》相关的服务,可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国,专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。

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十多年的专业技术积累

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服务众多客户解决技术难题

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每年出具十余万+份技术报告

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