半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法
Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy
基础信息
标准号：GB/T 17170-2015发布日期：2015-12-10实施日期：2016-07-01上次复审日期：2016-12-31上次复审结论：继续有效全部代替标准：GB/T 17170-1997标准类别：方法中国标准分类号：H17国际标准分类号：77.040 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门：国家标准委
起草单位
信息产业专用材料质量监督检验中心中国电子材料行业协会天津市环欧半导体材料技术有限公司
起草人
何秀坤李静张雪囡
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