国标依据

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半导体器件 分立器件 第3-2部分:信号(包括开关)和调整二极管 电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管) 空白详细规范

Semiconductordevices--Discrete devices--Part 3-2:Signal (including switching) and regulator diodes--Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes (excluding temperature-compensated precision reference diodes)

国家标准 推荐性

基础信息

标准号:GB/T 6589-2002发布日期:2002-12-04实施日期:2003-05-01上次复审日期:2023-12-28上次复审结论:继续有效全部代替标准:GB/T 6589-1986标准类别:基础中国标准分类号:L41国际标准分类号:31.080.10 归口单位:全国半导体器件标准化技术委员会执行单位:全国半导体器件标准化技术委员会主管部门:工业和信息化部(电子)

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准:IEC 60747-3-2:1986 QC 750005。采标中文名称:。

起草单位

中国电子技术标准化研究所(CESI)

相近标准(计划)

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相关服务热线: 如需《GB/T 6589-2002》相关的服务,可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国,专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。

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