半导体器件 分立器件 第3-2部分:信号(包括开关)和调整二极管 电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管) 空白详细规范
Semiconductordevices--Discrete devices--Part 3-2:Signal (including switching) and regulator diodes--Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes (excluding temperature-compensated precision reference diodes)
基础信息
标准号:GB/T 6589-2002发布日期:2002-12-04实施日期:2003-05-01上次复审日期:2023-12-28上次复审结论:继续有效全部代替标准:GB/T 6589-1986标准类别:基础中国标准分类号:L41国际标准分类号:31.080.10 归口单位:全国半导体器件标准化技术委员会执行单位:全国半导体器件标准化技术委员会主管部门:工业和信息化部(电子)
采标情况
本标准等同采用IEC国际标准:IEC 60747-3-2:1986 QC 750005。采标中文名称:。
起草单位
中国电子技术标准化研究所(CESI)
相近标准(计划)
GB/T 6588-2000 半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管第1篇信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范20233066-T-339 半导体分立器件 第3部分:信号、开关和调整二极管GB/T 6571-1995 半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管GB/T 6351-1998 半导体器件分立器件第2部分:整流二极管第一篇100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范SJ/T 10031-1991 电流调整二极管详细规范GB/T 16894-1997 大于100A,环境和管壳额定的整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范20232773-T-339 半导体分立器件 第2部分:整流二极管20231891-T-339 半导体分立器件 第4部分:微波二极管和晶体管SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范GB/T 4023-2015 半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管
相关服务热线: 如需《GB/T 6589-2002》相关的服务,可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国,专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。
热门服务