硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique
基础信息
标准号:GB/T 14142-2017发布日期:2017-09-29实施日期:2018-04-01全部代替标准:GB/T 14142-1993标准类别:方法中国标准分类号:H25国际标准分类号:77.040 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门:国家标准委
起草单位
南京国盛电子有研公司浙江金瑞泓科技股份有限公司有研半导体材料有限公司
起草人
马林宝骆红陈赫张海英杨帆刘小青
相近标准(计划)
GB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法YS/T 23-2016 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法YS/T 23-1992 硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法YS/T 15-2015 硅外延层和扩散层厚度测定 磨角染色法YS/T 14-2015 异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法YS/T 15-1991 硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法YS/T 14-1991 导质外延层和硅夕晶层厚度测量方法SJ/T 10481-1994 硅外延层电阻率的面接触三探针方法20240143-T-469 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法20243061-T-469 300 mm硅外延片
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