低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法

基础信息

标准号：GB/T 34481-2017发布日期：2017-10-14实施日期：2018-07-01标准类别：方法中国标准分类号：H25国际标准分类号：77.040 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门：国家标准委

起草单位

云南中科鑫圆晶体材料有限公司中科院半导体研究所云南临沧鑫圆锗业股份有限公司

起草人

惠峰普世坤董汝昆

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