半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）

基础信息

标准号：GB/T 29332-2012发布日期：2012-12-31实施日期：2013-06-01上次复审日期：2016-12-31上次复审结论：继续有效标准类别：产品中国标准分类号：L42国际标准分类号：31.080.30;31.080.01 归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会执行单位：全国半导体器件标准化技术委员会主管部门：工业和信息化部（电子）

采标情况

本标准等同采用IEC国际标准：IEC 60747-9:2007。采标中文名称:半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBTs)。

起草单位

西安电力电子技术研究所英飞凌科技（中国）有限公司江苏宏微科技有限公司西安爱帕克电力电子有限公司威海新佳电子有限公司

起草人

蔚红旗张立王晓宝秦贤满陈子颖乜连波

相近标准(计划)

20201543-T-339 半导体器件分立器件第15部分：绝缘功率半导体器件SJ/T 11972-2025 压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）平板陶瓷管壳SJ/T 11974-2025 轨道交通牵引用绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块门类规范SJ/T 11976-2025 绝缘栅双极晶体管（IGBT）用中子嬗变掺杂区熔硅单晶SJ/T 11975-2025 电力系统用压接式绝缘栅双极晶体管（IGBT）门类规范QC/T 1136-2020 电动汽车用绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块环境试验要求及试验方法GB/T 44802-2024 柔性直流输电用绝缘栅双极晶体管（IGBT）驱动器技术规范SJ/T 11971-2025 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）用焊片GB/T 20516-2006 半导体器件分立器件第4部分：微波器件20231778-T-339 电子元器件 半导体器件长期贮存 第9部分：特殊情况

相关服务热线： 如需《GB/T 29332-2012》相关的服务，可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国，专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。