国标依据

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LED外延芯片用磷化镓衬底

GaP substrates for LED epitaxial chips

国家标准 推荐性

基础信息

标准号:GB/T 30855-2014发布日期:2014-07-24实施日期:2015-04-01上次复审日期:2016-12-31上次复审结论:继续有效标准类别:产品中国标准分类号:H83国际标准分类号:29.045 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门:国家标准委

起草单位

中国科学院半导体研究所云南中科鑫圆晶体材料有限公司有研光电新材料有限公司

起草人

赵有文提刘旺赵坚强林泉惠峰

相近标准(计划)

GB/T 30856-2014 LED外延芯片用砷化镓衬底GB/T 30856-2025 LED外延芯片用砷化镓衬底20243065-T-469 激光器外延芯片用砷化镓衬底SJ/T 11758-2020 液晶显示背光组件用LED芯片性能规范DB1404/T 20─2021 消毒用UVC LED芯片 规格分类20240143-T-469 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片SJ/T 11868-2022 硅衬底蓝光功率发光二极管芯片详细规范SJ/T 11869-2022 硅衬底白光功率发光二极管芯片详细规范GB/T 30655-2014 氮化物LED外延片内量子效率测试方法

相关服务热线: 如需《GB/T 30855-2014》相关的服务,可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国,专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。

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十多年的专业技术积累

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服务众多客户解决技术难题

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每年出具十余万+份技术报告

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