碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
基础信息
标准号:GB/T 30867-2014发布日期:2014-07-24实施日期:2015-02-01上次复审日期:2016-12-31上次复审结论:继续有效标准类别:方法中国标准分类号:H83国际标准分类号:29.045 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门:国家标准委
起草单位
中国电子科技集团公司第四十六研究所中国电子技术标准化研究院
起草人
丁丽周智慧郝建民蔺娴
相近标准(计划)
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