国标依据

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碳化硅单晶片直径测试方法

Test method for measuring diameter of monocrystalline silicon carbide wafers

国家标准 推荐性

基础信息

标准号:GB/T 30866-2014发布日期:2014-07-24实施日期:2015-02-01上次复审日期:2016-12-31上次复审结论:继续有效标准类别:方法中国标准分类号:H83国际标准分类号:29.045 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门:国家标准委

起草单位

中国电子科技集团公司第四十六研究所中国电子技术标准化研究院

起草人

丁丽周智慧蔺娴郝建民

相近标准(计划)

GB/T 14140-2025 半导体晶片直径测试方法GB/T 30868-2025 碳化硅单晶片微管密度测试方法GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法GB/T 32278-2025 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 34520.2-2017 连续碳化硅纤维测试方法 第2部分:单纤维直径20250729-T-469 碳化硅晶片表面杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体质谱法GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法20240494-T-469 碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法

相关服务热线: 如需《GB/T 30866-2014》相关的服务,可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国,专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。

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十多年的专业技术积累

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服务众多客户解决技术难题

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每年出具十余万+份技术报告

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