掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon
基础信息
标准号：GB/T 13389-2014发布日期：2014-12-31实施日期：2015-09-01上次复审日期：2016-12-31上次复审结论：废止全部代替标准：GB/T 13389-1992标准类别：方法中国标准分类号：H80国际标准分类号：29.045 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门：国家标准委
起草单位
有研半导体材料股份有限公司中国计量科学研究院杭州海纳半导体有限公司西安隆基硅材料股份有限公司四川新光硅业科技有限责任公司浙江省硅材料质量检验中心浙江金瑞泓科技股份有限公司
起草人
孙燕梁洪张静王飞尧高英楼春兰
相近标准(计划)
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