碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法
Nondestructive test method for micropipe density of polished monocrystalline silicon carbide wafers
基础信息
标准号:GB/T 31351-2014发布日期:2014-12-31实施日期:2015-09-01上次复审日期:2016-12-31上次复审结论:继续有效标准类别:方法中国标准分类号:H26国际标准分类号:77.040.99 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门:国家标准委
起草单位
北京天科合达蓝光半导体有限公司中国科学院物理研究所
起草人
陈小龙郑红军刘振洲张玮郭钰
相近标准(计划)
GB/T 30868-2025 碳化硅单晶片微管密度测试方法20250822-T-469 200mm碳化硅单晶抛光片GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法GB/T 43313-2023 碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试共焦点微分干涉法20240494-T-469 碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法SJ/T 11502-2015 碳化硅单晶抛光片规范GB/T 30656-2023 碳化硅单晶抛光片SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法YD/T 1460.3-2006 通信用气吹微型光缆及光纤单位 第3部分:微管、微管束和微管附件
相关服务热线: 如需《GB/T 31351-2014》相关的服务,可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国,专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。
热门服务