重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
Test method for measuring boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
基础信息
标准号:GB/T 24580-2009发布日期:2009-10-30实施日期:2010-06-01上次复审日期:2016-12-31上次复审结论:继续有效标准类别:方法中国标准分类号:H80国际标准分类号:29.045 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门:国家标准委
采标情况
本标准修改采用其他国际标准:SEMI MF 1528-1104。采标中文名称:用二次离子质谱法测量重搀杂N型硅衬底中的硼污染的方法。
起草单位
信息产业部专用材料质量监督检验中心中国电子科技集团公司第四十六研究所
起草人
马农农何友琴丁丽
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