国标依据

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硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法

Test method for measuring flat length wafers of silicon and other electronic materials

国家标准 推荐性

基础信息

标准号:GB/T 13387-2009发布日期:2009-10-30实施日期:2010-06-01上次复审日期:2016-12-31上次复审结论:继续有效全部代替标准:GB/T 13387-1992标准类别:方法中国标准分类号:H80国际标准分类号:29.045 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门:国家标准委

采标情况

本标准修改采用其他国际标准:SEMI MF671-0705。采标中文名称:硅及其它电子材料晶片参考面长度测试方法。

起草单位

有研半导体材料股份有限公司

起草人

杜娟孙燕卢立延

相近标准(计划)

GB/T 34893-2017 微机电系统(MEMS)技术 基于光学干涉的MEMS微结构面内长度测量方法20194111-T-339 声表面波器件用单晶晶片 规范与测量方法20250515-T-469 微米级长度的扫描电镜测量方法通则JC/T 2268-2014 制动摩擦材料中铜及其它元素的测定方法SJ/T 11487-2015 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法SJ/T 10481-1994 硅外延层电阻率的面接触三探针方法20250748-T-609 金刚石单晶片20250721-T-609 金刚石多晶片20243399-T-609 复合材料液体成型用纤维增强材料面内渗透特性的试验表征法EJ/T 903.5-1994 闪烁体性能测量方法 闪烁有效衰减长度

相关服务热线: 如需《GB/T 13387-2009》相关的服务,可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国,专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。

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