硅片表面平整度测试方法

基础信息

标准号：GB/T 6621-2009发布日期：2009-10-30实施日期：2010-06-01上次复审日期：2016-12-31上次复审结论：继续有效全部代替标准：GB/T 6621-1995标准类别：方法中国标准分类号：H80国际标准分类号：29.045 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门：国家标准委

起草单位

上海合晶硅材料有限公司

起草人

徐新华严世权王珍

相近标准(计划)

GB/T 19922-2005 硅片局部平整度非接触式标准测试方法GB/T 42789-2023 硅片表面光泽度的测试方法20250148-T-469 300 mm硅片表面纳米形貌的评价方法GB/T 29507-2013 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法GB/T 30860-2014 太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法SJ/T 11631-2016 太阳能电池用硅片外观缺陷测试方法SJ/T 11630-2016 太阳能电池用硅片几何尺寸测试方法GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法SJ/T 11632-2016 太阳能电池用硅片微裂纹缺陷的测试方法

相关服务热线： 如需《GB/T 6621-2009》相关的服务，可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国，专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。