国标依据

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硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法

Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers

国家标准 推荐性

基础信息

标准号:GB/T 4058-2009发布日期:2009-10-30实施日期:2010-06-01上次复审日期:2016-12-31上次复审结论:继续有效全部代替标准:GB/T 4058-1995标准类别:方法中国标准分类号:H80国际标准分类号:29.045 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门:国家标准委

起草单位

峨嵋半导体材料厂

起草人

何兰英王炎张辉坚刘阳

相近标准(计划)

GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法YS/T 25-1992 硅抛光片表面清洗方法GB/T 28628-2012 材料诱生空气离子量测试方法NY/T 1519-2007 生咖啡 缺陷参考图YS/T 24-2016 外延钉缺陷的检验方法YS/T 24-1992 外延钉缺陷的检验方法JB/T 6061-1992 焊缝磁粉检验方法和缺陷磁痕的分级JB/T 6062-1992 焊缝渗透检验方法和缺陷迹痕的分级20240138-T-469 氮化铝单晶抛光片YB/T 5329-2009 五氧化二钒 硅含量的测定 硅钼蓝分光光度法

相关服务热线: 如需《GB/T 4058-2009》相关的服务,可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国,专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。

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十多年的专业技术积累

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服务众多客户解决技术难题

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每年出具十余万+份技术报告

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2500+名专业技术人员

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