硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
基础信息
标准号：GB/T 25188-2010发布日期：2010-09-26实施日期：2011-08-01上次复审日期：2025-08-06上次复审结论：修订标准类别：方法中国标准分类号：G04国际标准分类号：71.040.40 归口单位：全国表面化学分析标准化技术委员会执行单位：全国表面化学分析标准化技术委员会主管部门：中国科学院
起草单位
中国科学院化学研究所中国计量科学研究院
起草人
刘芬王海赵志娟邱丽美赵良仲宋小平
相近标准(计划)
20253804-T-491 表面化学分析 X射线光电子能谱 氧化硅层厚度的测量SY 0066-1992 管道防腐层厚度的无损测量方法(磁性法)20240165-T-469 表面化学分析 X射线光电子能谱 导电碳基材料结合能的测量SY/T 0066-1999 钢管防腐层厚度的无损测量方法（磁性法）20251650-T-491 表面化学分析 X射线光电子能谱 X射线光电子能谱仪日常性能的评估方法YS/T 14-2015 异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法GB/T 31225-2014 椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法20253743-T-491 表面化学分析 X射线光电子能谱 分析指南JB/T 5068-1991 金属覆盖层厚度测量 X射线光谱法20253813-T-491 表面化学分析 X射线光电子能谱仪检定方法
相关服务热线： 如需《GB/T 25188-2010》相关的服务，可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国，专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。
热门服务
