国标依据

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硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

practice for shallow etch pit detection on silicon

国家标准 推荐性

基础信息

标准号:GB/T 26066-2010发布日期:2011-01-10实施日期:2011-10-01上次复审日期:2016-12-31上次复审结论:继续有效标准类别:方法中国标准分类号:H80国际标准分类号:29.045 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门:国家标准委

起草单位

洛阳单晶硅有限责任公司

起草人

田素霞张静雯王文卫周涛

相近标准(计划)

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相关服务热线: 如需《GB/T 26066-2010》相关的服务,可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国,专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。

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十多年的专业技术积累

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服务众多客户解决技术难题

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每年出具十余万+份技术报告

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