硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
practice for shallow etch pit detection on silicon
基础信息
标准号:GB/T 26066-2010发布日期:2011-01-10实施日期:2011-10-01上次复审日期:2016-12-31上次复审结论:继续有效标准类别:方法中国标准分类号:H80国际标准分类号:29.045 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会主管部门:国家标准委
起草单位
洛阳单晶硅有限责任公司
起草人
田素霞张静雯王文卫周涛
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