重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
基础信息
标准号：GB/T 14847-2010发布日期：2011-01-10实施日期：2011-10-01上次复审日期：2016-12-31上次复审结论：继续有效全部代替标准：GB/T 14847-1993标准类别：方法中国标准分类号：H80国际标准分类号：29.045 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门：国家标准委
起草单位
宁波立立电子股份有限公司信息产业部专用材料质量监督检验中心
起草人
李慎重何良恩何秀坤许峰刘培东
相近标准(计划)
20240143-T-469 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的测试 红外反射法YS/T 14-2015 异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法YS/T 14-1991 导质外延层和硅夕晶层厚度测量方法GB/T 42905-2023 碳化硅外延层厚度的测试红外反射法YS/T 23-2016 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法YS/T 23-1992 硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法YS/T 15-2015 硅外延层和扩散层厚度测定 磨角染色法YS/T 15-1991 硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法GB/T 8758-2006 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法YS/T 839-2012 硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法
相关服务热线： 如需《GB/T 14847-2010》相关的服务，可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国，专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。
热门服务
