国标依据

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砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法

Gallium arsenide epitaxial layer - determination of carrier concentration voltage-capacitance method

国家标准 推荐性

基础信息

标准号:GB/T 11068-2006发布日期:2006-07-18实施日期:2006-11-01上次复审日期:2023-12-28上次复审结论:继续有效全部代替标准:GB/T 11068-1989标准类别:方法中国标准分类号:H17国际标准分类号:77.040.01 归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会、全国有色金属标准化技术委员会副归口单位:全国有色金属标准化技术委员会执行单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门:国家标准委

起草单位

北京有色金属研究总院

起草人

王彤涵

相近标准(计划)

GB/T 14146-2021 硅外延层载流子浓度的测试电容-电压法GB/T 8757-2006 砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法GB/T 8758-2006 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法20250731-T-469 碳化硅外延层载流子寿命的测试 瞬态吸收法YS/T 14-2015 异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法YS/T 14-1991 导质外延层和硅夕晶层厚度测量方法20243065-T-469 激光器外延芯片用砷化镓衬底GB/T 30856-2014 LED外延芯片用砷化镓衬底GB/T 30856-2025 LED外延芯片用砷化镓衬底YS/T 23-2016 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法

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服务众多客户解决技术难题

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