国标依据

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串行NAND型快闪存储器接口规范

Specification for serial NAND flash interface

国家标准 推荐性

基础信息

标准号:GB/T 35009-2018发布日期:2018-03-15实施日期:2018-08-01标准类别:产品中国标准分类号:L56国际标准分类号:31.200 归口单位:全国集成电路标准化技术委员会执行单位:全国集成电路标准化技术委员会主管部门:工业和信息化部(电子)

起草单位

北京兆易创新科技股份有限公司深圳市中兴微电子技术有限公司清华大学微电子学研究所工业和信息化部电子工业标准化研究院中国航天科技九院第七七二研究所安凯(广州)微电子技术有限公司

起草人

苏志强刘超罗晓羽武鹏邹天翔刘会娟高硕林建京吴华强

相近标准(计划)

SJ/T 11701-2018 通用NAND型快闪存储器接口GB/T 35008-2018 串行NOR型快闪存储器接口规范20242042-T-469 NAND 型闪存存储器寿命试验方法SJ/T 11585-2016 串行存储器接口要求GB/T 42974-2023 半导体集成电路 快闪存储器(FLASH)GB/T 36477-2018 半导体集成电路 快闪存储器测试方法20242554-T-339 半导体集成电路 嵌入式存储器接口要求GA/T 379.8-2002 报警传输系统串行数据接口的信息格式和协议 第8部分:与PSTN接口处采用ITU-T建议V.23信令的数字通信系统中的串行协议GY/T 187-2002 多通路音频数字串行接口SJ/T 11702-2018 半导体集成电路 串行外设接口测试方法

相关服务热线: 如需《GB/T 35009-2018》相关的服务,可直接联系。 微析检测业务区域覆盖全国,专注为高分子材料、金属、半导体、汽车、医疗器械等行业提供大型仪器测试、性能测试、成分检测等服务。

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十多年的专业技术积累

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服务众多客户解决技术难题

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每年出具十余万+份技术报告

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